-
1 концентрация примеси
Русско-английский словарь по электронике > концентрация примеси
-
2 концентрация примеси
Русско-английский словарь по радиоэлектронике > концентрация примеси
-
3 концентрация примеси
doping concentration, impurity concentration, doping densityРусско-английский политехнический словарь > концентрация примеси
-
4 концентрация легирующей примеси
1) Engineering: dopant concentration, dopant density, doping level2) Electronics: doping concentration, doping densityУниверсальный русско-английский словарь > концентрация легирующей примеси
-
5 концентрация примеси
1) Engineering: doping concentration (легирующей), doping density (легирующей), impurity concentration2) Microelectronics: dopant concentrationУниверсальный русско-английский словарь > концентрация примеси
-
6 полная концентрация примеси
Microelectronics: net doping densityУниверсальный русско-английский словарь > полная концентрация примеси
-
7 концентрация
concentration, density, ( раствора) strength* * *концентра́ция ж.1. (величина, выражающая относительное количество компонентов, напр. в растворе) concentration, density2. (увеличение содержания относительного количества вещества в чем-л.) concentrationбезопа́сная концентра́ция — safe concentrationконцентра́ция (вещества́) на вхо́де ( в аппарат) хим. — inlet concentrationдолева́я, объё́мная концентра́ция — volume-part concentration, concentration in so-many parts by volumeдолева́я концентра́ция по ма́ссе — weight-part concentration, concentration in so-many parts by weightизбы́точная концентра́ция — excess concentrationкрити́ческая концентра́ция — critical concentration, critical densityконцентра́ция леги́рующей при́меси — doping [concentration] levelмо́льная концентра́ция — mole concentrationмо́льно-объё́мная концентра́ция — volumetric molar concentrationмоля́рная концентра́ция — molar concentrationконцентра́ция напряже́ний — stress concentrationконцентра́ция на столе́ ( минералов) — table concentration, tablingнеравнове́сная концентра́ция — nonequilibrium concentration, nonequilibrium densityпроце́нтная, объё́мная концентра́ция — volume percent concentration, concentration in so-many percent by volumeпроце́нтная концентра́ция по ма́ссе — weight percent concentration, concentration in so-many percent by weightравнове́сная концентра́ция — equilibrium concentration, equilibrium densityконцентра́ция раство́ра — solution strengthэквивале́нтная концентра́ция — equivalent concentration -
8 концентрация примесей
1) Engineering: impurity density2) Oil: impurity concentration3) Microelectronics: doping concentrationУниверсальный русско-английский словарь > концентрация примесей
См. также в других словарях:
doping density — legiravimo tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping density vok. Dotierungsdichte, f rus. плотность легирования, f pranc. densité de dopage, f … Radioelektronikos terminų žodynas
doping density ratio — legiravimo priemaišų tankių santykis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping density ratio vok. Dotantenverhältnis, n rus. отношение плотностей легирующих примесей, n pranc. rapport des dopants, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Doping in sport — In sports, doping refers to the use of performance enhancing drugs, particularly those forbidden by organizations that regulate competitions. Doping is mostly done to improve athletic performance. This is why many sports ban the use of… … Wikipedia
Doping (semiconductor) — In semiconductor production, doping intentionally introduces impurities into an extremely pure (also referred to as intrinsic) semiconductor for the purpose of modulating its electrical properties. The impurities are dependent upon the type of… … Wikipedia
doping impurity density — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
Monolayer doping — (MLD) is a well controlled, wafer scale surface doping technique first developed at the University of California, Berkeley, in 2007.[1] This work is aimed for attaining controlled doping of semiconductor materials with atomic accuracy, especially … Wikipedia
dopant density — legiravimo priemaišų tankis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. dopant density; doping impurity density vok. Dotierstoffdichte, f; Dotierungsdichte, f rus. плотность легирующей примеси, f pranc. densité de dopant, f; densité d… … Radioelektronikos terminų žodynas
Ohmic contact — An ohmic contact is a region on a semiconductor device that has been prepared so that the current voltage (I V) curve of the device is linear and symmetric. If the I V characteristic is non linear and asymmetric, the contact is not ohmic, but is… … Wikipedia
Heterojunction bipolar transistor — The heterojunction bipolar transistor (HBT) is a type of bipolar junction transistor (BJT) which uses differing semiconductor materials for the emitter and base regions, creating a heterojunction. The HBT improves on the BJT in that it that can… … Wikipedia
Dotantenverhältnis — legiravimo priemaišų tankių santykis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping density ratio vok. Dotantenverhältnis, n rus. отношение плотностей легирующих примесей, n pranc. rapport des dopants, m … Radioelektronikos terminų žodynas
legiravimo priemaišų tankių santykis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. doping density ratio vok. Dotantenverhältnis, n rus. отношение плотностей легирующих примесей, n pranc. rapport des dopants, m … Radioelektronikos terminų žodynas
